肖特基二極管自從替代傳統(tǒng)的普通的二極管后受到了用戶的的青睞和喜歡，但是有些時(shí)候也會(huì)有傻傻分不肖的時(shí)候，肖特基二極管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別？
　　肖特基二極管是二極管，特點(diǎn)是低功耗、超高速、反向恢復(fù)時(shí)間極短、正向壓降小，適合做整流電路；場(chǎng)效應(yīng)管是三極管，特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪聲小、功耗低、漏電流小，開關(guān)特性好，適合做放大電路或開關(guān)電路。
　　二極管與三極管完全是2種類型，不能相比，但同屬電子元件類。
　　肖特基二極管和普通二極管或場(chǎng)效應(yīng)管的外觀還是多少有點(diǎn)相似的，用戶在使用時(shí)會(huì)有所困惑也是難免的
　　

　　如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管和肖特基二極管
　　什么是場(chǎng)效應(yīng)管
　　場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱，應(yīng)為縮寫為FET。場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類：1）JFET和MOSFET。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極，分別為：柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號(hào)圖。

　　PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的： 在N型硅襯底上做了兩個(gè)P型半導(dǎo)體的P+區(qū)，這兩個(gè)區(qū)分別叫做源極S和漏極D，在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。NMOS的實(shí)物圖和引腳分布如下圖所示。
　

　　什么是肖特基二極管
　　肖特基二極管又叫勢(shì)壘二極管，是由金屬和半導(dǎo)體接觸形成的二極管，其特點(diǎn)為：
　　反向恢復(fù)時(shí)間非常短，為ns級(jí)別；
　　正向?qū)�通壓降非常低：�?.3-0.5V左右；
　　漏電流較大、反向擊穿電壓比較低；
　　通常用在低壓開關(guān)電源中，以肖特基二極管MBR30100為例，其實(shí)物圖和結(jié)構(gòu)圖如下圖所示。

　　該肖特基二極管有三個(gè)電極，其中一個(gè)公共端是陰極，由兩個(gè)二極管共陰極構(gòu)成。
　　關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管的反向并接的二極管的問題?
　　有些場(chǎng)效應(yīng)管的規(guī)格書里原理圖上標(biāo)有一個(gè)穩(wěn)壓管符號(hào)，為了搞清楚其中的真正情況，我們抽取了幾種有該二極管符號(hào)的樣品進(jìn)行檢測(cè)試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)有以下兩種情況：
　　1.實(shí)際是本體的寄生二極管；2集成的肖特基二極管

　　前一種情況，估計(jì)是做文件時(shí)直接將其他文件中的圖形復(fù)制過來所致。?關(guān)于該本體二級(jí)管的特性，在規(guī)格書中應(yīng)該有規(guī)格說明的。但請(qǐng)大家注意，是二極管而不是穩(wěn)壓管，不要被穩(wěn)壓管的圖形搞暈了。
　　第二種情況，注意，是肖特基二極管，圖中標(biāo)注的符號(hào)也不對(duì)。有些元件有這樣集成的情況，且在其參數(shù)表中一定有相關(guān)方面的參數(shù)說明，即：肖特基二極管的電壓電流參數(shù)，大家在識(shí)別元件時(shí)應(yīng)該注意相關(guān)的參數(shù)

　另外還有一種可能，那就是標(biāo)示的場(chǎng)效應(yīng)管擊穿區(qū)的穩(wěn)壓管特征。

　　當(dāng)然，作為生產(chǎn)廠商，他們對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的這種特性是不會(huì)做任何保障承諾的。所以規(guī)格書中一般沒有其特性的說明和參數(shù)表。元件實(shí)際使用時(shí)也不能工作在該區(qū)域。
　　只是，對(duì)于不同廠商，元件的耐受能力是不同的，有些原件在超過擊穿電壓后，很容易就損壞了，而有些元件，可以耐受較高的擊穿電流的沖擊，而這，也在一些場(chǎng)合，決定了元件質(zhì)量在用戶心中的感覺。
　　表，并且，要注意和本體二極管參數(shù)的區(qū)別。如果無誤，則說明確有并聯(lián)的二極管，否則是圖形錯(cuò)誤。