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單結(jié)晶體管BT33參數(shù) 基極二極管

作者:佚名    文章來源:本站原創(chuàng)    點(diǎn)擊數(shù):    更新時(shí)間:2017-6-15

單結(jié)晶體管(UJT)又稱基極二極管,下面是早期國(guó)產(chǎn)單結(jié)晶體管BT33參數(shù),它分為A~H共8個(gè)具體型號(hào)。

BT33A參數(shù)

分壓比(η):0.3~0.55
基極間電阻(RBB):3~6kΩ
E對(duì)B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤5V
調(diào)制電流:9~40mA
耗散功率:500mW

BT33B參數(shù)

分壓比(η):0.3~0.55
基極間電阻(RBB):5~10kΩ
E對(duì)B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤5V
調(diào)制電流:9~40mA
耗散功率:500mW

BT33C參數(shù)

分壓比(η):0.45~0.75
基極間電阻(RBB):3~6kΩ
E對(duì)B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤5V
調(diào)制電流:9~40mA
耗散功率:500mW

BT33D參數(shù)

分壓比(η):0.45~0.75
基極間電阻(RBB):5~10kΩ
E對(duì)B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤5V
調(diào)制電流:9~40mA
耗散功率:500mW

BT33E參數(shù)

分壓比(η):0.65~0.85
基極間電阻(RBB):3~6kΩ
E對(duì)B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤5V
調(diào)制電流:9~40mA
耗散功率:500mW

BT33F參數(shù)

分壓比(η):0.65~0.85
基極間電阻(RBB):5~10kΩ
E對(duì)B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤5V
調(diào)制電流:9~40mA
耗散功率:500mW

BT33G參數(shù)

分壓比(η):0.55~0.75
基極間電阻(RBB):10~15kΩ
E對(duì)B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤5V
調(diào)制電流:9~40mA
耗散功率:500mW

BT33H參數(shù)

分壓比(η):0.55~0.75
基極間電阻(RBB):5~10kΩ
E對(duì)B1間反向電壓:≥40V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤5V
調(diào)制電流:9~40mA
耗散功率:500mW

測(cè)試條件

基極間電阻:UBB=20V;IE=0
E對(duì)B1間反向電壓:IEO=1μA
反向電流:UEBO=60V
峰值電流:UBB=20V
飽和壓降:UBB=20V;IE=50mA
調(diào)制電流:UBB=20V;IE=50mA

Tags:BT33,參數(shù),基極二極管,單結(jié)晶體管  
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