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2018/12/6安規(guī)電容的工作原理
安規(guī)電容是指電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全的安全電容器。安規(guī)電容通常只用于抗干擾電路中的濾波作用。它們用在電源濾波器里，起到電源濾波作用，分別對(duì)共模，差模干擾起濾波作用。[閱讀全文]
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2018/12/6圖解電容原理，電容的工作原理_電容的作用是什么_電容的用途有哪幾種
電容（Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲(chǔ)藏量，記為C，國(guó)際單位是法拉（F）。一般來(lái)說(shuō)，電荷在電場(chǎng)中會(huì)受力而移動(dòng)，當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動(dòng)而使得電荷累積在導(dǎo)體上，造成電荷的累積儲(chǔ)存，儲(chǔ)存的電荷量則稱為電容。電容是指容納電場(chǎng)的能力。[閱讀全文]
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2018/12/2圖解雪崩光電二極管靈敏度如何如何提高雪崩光電二極管靈敏度
電子開(kāi)發(fā)網(wǎng)為您提供的雪崩光電二極管靈敏度如何如何提高雪崩光電二極管靈敏度，APD應(yīng)用于對(duì)光信號(hào)需要高靈敏度的各種應(yīng)用場(chǎng)合，例如光纖通訊、閃爍（scintillation）探測(cè)等。[閱讀全文]
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2018/11/25晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)方法圖解
晶體三極管通常簡(jiǎn)稱為晶體管或三極管，是一種具有兩個(gè)PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。晶體三極管是電子電路中的核心器件之一，在各種電子電路中的應(yīng)用十分廣泛。晶體三極管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。[閱讀全文]
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2018/11/25圖解N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
我們以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例來(lái)說(shuō)明。如圖所示。當(dāng)在漏極D和源極S之間加上電源 E D 后，則在N型溝道中產(chǎn)生從漏極流向源極的電流 I D 。由PN結(jié)的特性可知，若在柵極G和源極S間加上負(fù)電壓 E G ，PN結(jié)的寬度增加，且負(fù) ...[閱讀全文]
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2018/11/25用萬(wàn)用表識(shí)別場(chǎng)效應(yīng)管引腳方法圖解
1、用萬(wàn)用表識(shí)別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管引腳用萬(wàn)用表的RX1k檔位，方法如圖示。 2、用萬(wàn)用表識(shí)別N或P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管利用G極和S極之間，G極和D極之間為一個(gè)PN結(jié)的原理。如下圖所示，根據(jù)PN結(jié)的正、反向電阻相差很大的特點(diǎn)可以 ...[閱讀全文]
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2018/11/20圖解電容器的作用及原理
電容器的作用及原理 - 全文，.電容器可以阻隔直流。如果將一個(gè)較小的電容器連接到電池上，則在電容器充電完成后（電容器容量較小時(shí)，瞬間即可完成充電過(guò)程），電池的兩極之間將不再有電流通過(guò)。然而，任何交流電流（AC）信號(hào)都可以暢通無(wú)阻地流過(guò)電容器。其原因是隨著交流電流的波動(dòng)，電容器不斷地充放電，就好像交流電流在流動(dòng)一樣。[閱讀全文]
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2018/11/19中性接地電阻的特性及型號(hào)，功率小的電阻萬(wàn)用表輔助電路圖解析
中性接地電阻的特性及型號(hào)，功率小的電阻萬(wàn)用表輔助電路圖解析，中性點(diǎn)電阻值的選擇若取得太低時(shí)，則單相接地電流較大，對(duì)通信線路干擾大；若阻值取得太大，則繼電保護(hù)動(dòng)作不可靠。一般來(lái)說(shuō)，中性點(diǎn)電阻中的電流在100～200A時(shí)對(duì)通信線路的干擾不成問(wèn)題，在此條件下，10kV架空線路，中性點(diǎn)電阻值為28.80～57.74Ω。對(duì)于電纜為主的配電網(wǎng)，根據(jù)日本的經(jīng)驗(yàn)，中性點(diǎn)電阻中的電流在400～800A時(shí)，對(duì)通信線的干擾問(wèn)題不大，據(jù)此，10kV電纜配網(wǎng)中性點(diǎn)電阻值的范圍應(yīng)為7.2～14.4Ω。[閱讀全文]
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2018/11/16MOS管簡(jiǎn)介_(kāi)基礎(chǔ)知識(shí)（半導(dǎo)體PN結(jié)知識(shí)）_MOS管結(jié)構(gòu)MOS管導(dǎo)通過(guò)程
導(dǎo)電溝道剛剛形成的時(shí)候那個(gè)正偏電壓Vgs，稱為開(kāi)啟電壓Vgs（th）（或稱為“閾值電壓”）；Vgs大于Vgs（th）的這一段電壓區(qū)間，稱為可變電阻區(qū)，MOS管漏極D到源極S的導(dǎo)通阻抗隨Vgs增大而降低；當(dāng)Vgs大于2×Vgs（th）之后，基本視為導(dǎo)通阻抗Rds-on降為最低，s且在溫度一致時(shí)保持不變，此時(shí)增強(qiáng)型N-MOSFET視為完全導(dǎo)通。[閱讀全文]
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2018/11/16什么是MOS管?MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解(應(yīng)用_優(yōu)勢(shì)_三個(gè)極代表)
電子開(kāi)發(fā)網(wǎng)為您提供的什么是MOS管?MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解(應(yīng)用_優(yōu)勢(shì)_三個(gè)極代表) - 全文，本文首先介紹了mos管的概念與mos管優(yōu)勢(shì)，其次介紹了MOS管結(jié)構(gòu)原理圖及mos管的三個(gè)極判定方法，最后介紹了MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）的應(yīng)用領(lǐng)域及它的降壓電路。[閱讀全文]
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2018/11/16mos管工作原理_mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分_柵極源極漏極_mos管的作用介紹
電子開(kāi)發(fā)網(wǎng)為您提供的mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分_mos管的作用介紹 - 全文，本文開(kāi)始介紹了MOS管概念和MOS管工作原理，其次介紹了MOS管的性能參數(shù)以及mos管三個(gè)引腳的區(qū)分方法，最后介紹了MOS管是如何快速判斷與好壞及引腳性能的以及介紹了mos管的作用。[閱讀全文]
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2018/11/16整流二極管的特性_整流二極管的選用、代換、選擇
[閱讀全文]
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2018/11/16看看場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管究竟是什么？MOS的三個(gè)極怎么判定？
以上MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的是信號(hào)切換（高低電平切換）。再來(lái)看個(gè)MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子吧，MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子：由+1.5V_SUS產(chǎn)生+1.5V電路[閱讀全文]
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2018/11/16三極管型號(hào)大全三極管如何選型三極管用途
三極管型號(hào)大全三極管如何選型-三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。[閱讀全文]
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2018/11/16三個(gè)腳的二極管接線圖分析詳解三腳穩(wěn)壓二極管與三極管區(qū)別
電子開(kāi)發(fā)網(wǎng)為您提供的三個(gè)腳的二極管接線圖分析詳解三腳穩(wěn)壓二極管與三極管區(qū)別，從內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖可見(jiàn)，這種穩(wěn)壓二極管實(shí)際上是由兩只封裝在一體的穩(wěn)壓二極管組成的。[閱讀全文]
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2018/11/16PNP與NPN哪個(gè)是“源”與”漏“的渾水，源型與漏型的區(qū)分
源型與漏型是PNP與NPN放大電路的電流流向的一種形象化表述，最初是由日系PLC引入這樣的簡(jiǎn)稱，在日系語(yǔ)系用中文字表達(dá)的一種方式，在原來(lái)的中國(guó)學(xué)校教育中并不怎么使用“源型”與“漏型”這樣簡(jiǎn)稱概念表述，而是用PNP與NPN。[閱讀全文]
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2018/11/16大功率三極管有哪些中功率三極管型號(hào)有哪些
大功率三極管有哪些中功率三極管型號(hào)有哪些，晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。[閱讀全文]
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2018/11/16判斷MOS型場(chǎng)效應(yīng)管的好壞，如何用萬(wàn)用表測(cè)量三極管的三個(gè)管腳的簡(jiǎn)單方法
將萬(wàn)用表?yè)茉赗×100或R×1K檔上。紅筆接觸某一管腳，用黑表筆分別接另外兩個(gè)管腳，這樣就可得到三組(每組兩次)的讀數(shù)，當(dāng)其中一組二次測(cè)量都是幾百歐的低阻值時(shí)，若公共管腳是紅表筆，所接觸的是基極，且三極管的管型為PNP型;若公共管腳是黑表筆，所接觸的是也是基極，且三極管的管型為NPN型。[閱讀全文]
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2018/11/15MOS管和三極管區(qū)別，淺談MOSFET與三極管的ON狀態(tài)區(qū)別
MOS管和三極管區(qū)別，淺談MOSFET與三極管的ON狀態(tài)區(qū)別，MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢? 三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì)變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。[閱讀全文]
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2018/11/15三極管結(jié)構(gòu)與工作原理詳解
三極管結(jié)構(gòu)與工作原理詳解，很多初學(xué)者都會(huì)認(rèn)為三極管是兩個(gè)PN 結(jié)的簡(jiǎn)單湊合（如圖1）。這種想法是錯(cuò)誤的，兩個(gè)二極管的組合不能形成一個(gè)三極管。我們以NPN 型三極管為例（見(jiàn)圖2 ），兩個(gè)PN 結(jié)共用了一個(gè)P 區(qū)——基區(qū)，基區(qū)做得極薄，只有幾微米到幾十微米.[閱讀全文]
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