概述

　　 場(chǎng)效應(yīng)晶體管：英文名稱為Field Effect Transistor，縮寫為FET，簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。
　　各類場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)其溝道所采用的半導(dǎo)體材料，可分為N型溝道和P型溝道兩種。所謂溝道，就是電流通道。
　　半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)，是在半導(dǎo)體表面的垂直方向上加一電場(chǎng)時(shí)，電子和空穴在表面電場(chǎng)作用下發(fā)生運(yùn)動(dòng)，半導(dǎo)體表面載流子的重新分布，因而半導(dǎo)體表面的導(dǎo)電能力受到電場(chǎng)的作用而改變，即改變?yōu)榧与妷旱拇笮『头较颍�可以控制半�?dǎo)體表面層中多數(shù)載流子的濃度和類型，或控制PN結(jié)空間電荷區(qū)的寬度，這種現(xiàn)象稱半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)。 
　　場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點(diǎn)類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：
　　（1）輸入阻抗高；
　　（2）輸入功耗小；
　　（3）溫度穩(wěn)定性好；
　　（4）信號(hào)放大穩(wěn)定性好，信號(hào)失真小；
　　（5）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
　　根據(jù)構(gòu)造和工藝的不同，場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣型兩大類。

　　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
　　圖十一(a)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖。
　　圖十一(b)是N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)。
 

  
　　在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很薄），形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極，在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩個(gè)P區(qū)連起來，就構(gòu)成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。從N型區(qū)引出的兩個(gè)電極分別為源極S和漏極D，從兩個(gè)P區(qū)引出的電極叫柵極G，很薄的N區(qū)稱為導(dǎo)電溝道。

　　絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管

　　絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，我們稱在正常情況下導(dǎo)通的為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管，在正常情況下斷開的稱增強(qiáng)型效應(yīng)管。增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)：當(dāng)Vgs = 0時(shí)Id(漏極電流) = 0，只有當(dāng)Vgs增加到某一個(gè)值時(shí)才開始導(dǎo)通，有漏極電流產(chǎn)生。并稱開始出現(xiàn)漏極電流時(shí)的柵源電壓Vgs為開啟電壓。 　　耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)，它可以在正或負(fù)的柵源電壓(正或負(fù)偏壓)下工作，而且柵極上基本無柵流(非常高的輸入電阻)。
　　結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用的電路可以使用絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，但絕緣柵增強(qiáng)型場(chǎng)效管應(yīng)用的電路不能用結(jié)型 柵場(chǎng)效應(yīng)管代替。