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雙穩(wěn)態(tài)電路

作者:佚名    文章來源:本站原創(chuàng)    點擊數(shù):    更新時間:2011-7-9
一、工作原理
圖一為雙穩(wěn)態(tài)電路,它是由兩級反相器組成的正反饋電路,有兩個穩(wěn)定狀態(tài),或者是BG1導通、BG2截止;或者是BG1截止、BG2導通,由于它具有記憶功能,所以廣泛地用于計數(shù)電路、分頻電路和控制電路中,
原理,圖2(a)中,設觸發(fā)器的初始狀態(tài)為BG1導通,BG2截止,當觸發(fā)脈沖方波從1端輸入,經(jīng)CpRp微分后,在A點產生正、負方向的尖脈沖,而只有正尖脈沖能通過二極管D1作用于導通管BG1的基極是。ic1減小使BG1退出飽和并進入放大狀態(tài),于是它的集電極電位降低,經(jīng)電阻分壓器送到截止管BG2的基極,使BG2的基極電位下降,如果下降幅度足夠時,BG2將由截止進入放大狀態(tài),因而產生下列正反饋過程(看下列反饋過程時,應注意:在圖一的PNP電路中,晶體管的基極和集電極電位均為負值,所以uc1↓,表示BG1集電極電位降低,而uc1↑則表示BG1集電極電位升高,當BG1基極電位降低時,則ic1↑,反之當BG1基極電位升高時,ic1↓
ic1越來越小,ic2越來越大,最后到達BG1截止、BG2導通;接差觸發(fā)脈沖方波從2端輸入,并在t=t2時,有正尖脈沖作用于導通管BG2的基極,又經(jīng)過正反饋過程,使BG1導通,BG2截止。以后,在1、2端的觸發(fā)脈沖的輪流作用下,雙穩(wěn)電路的狀態(tài)也作用相應的翻轉,如圖一(b)所示。

圖一、雙穩(wěn)態(tài)電路
由上述過程可見:(1)雙穩(wěn)態(tài)電路的尖頂觸發(fā)脈沖極性由晶體管的管型決定:PNP管要求正極性脈沖觸發(fā),而NPN管卻要求負極性脈沖觸發(fā)。(2)每觸發(fā)一次,電路翻轉一次,因此,從翻轉次數(shù)的多少,就可以計算輸入脈沖的個數(shù),這就是雙穩(wěn)態(tài)電路能夠計算的原理。
雙穩(wěn)態(tài)電路的觸發(fā)電路形式有:單邊觸發(fā)、基極觸發(fā)、集電極觸發(fā)和控制觸發(fā)等。
圖二給出幾種實用的雙穩(wěn)態(tài)電路。電路(a)中D3、D4為限幅二極管,使輸出幅度限制在-6伏左右;電路(b)中的D5、D6是削去負尖脈沖;電路(C)中的ui1、ui2為單觸發(fā),ui為輸入觸發(fā)表一是上述電路的技術指標。

圖二、幾種實用的雙穩(wěn)態(tài)電路
表一
幾種雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的技術指標
圖二
(a)
(b)
(c)
(d)
管型 二極管
2AP3
2AP15
2AK1C
2AK17
三極管
3AX31B
3AG40
3AK20
3DK3B
信號電平 “0”(無信號)(V)
0
0
0
+6
“1”(有信號)(V)
-6
-6
-9
0
工作頻率(KHz)
10
600
1000
8000
抗干擾電壓(V)
≥1
≥1.5
≥2
0.8-1
觸發(fā)靈敏度(V)
≤4
≤4.8
≤7
2.5
輸出端的吸收能力(mA)
≤4
≤6.7
≤2
10
輸出端的發(fā)射能力(mA)
≤44
≤12
≤12
7
輸出脈沖的上升時間(μs)
2
≤0.30
≤0.1
≤0.1
輸出脈沖的下降時間(μs)
2
≤0.36
≤0.15
≤0.1
對β值的要求
>50
50-80
60-90
>50
元件參數(shù)的允許化
△β<10,±5%
△β<10,±5%
△β<10,±5%
△β<10,±5%
電源電壓的波動范圍
±5%
±5%
±5%
±5%
工作溫度范圍(℃)
0-40
-10-55
-20-50
-10-55
二、雙穩(wěn)態(tài)電路的設計

圖三、雙穩(wěn)態(tài)的設計電路
雙穩(wěn)態(tài)設計電路見表二
表二 雙穩(wěn)態(tài)電路的設計公式及計算實例
要求 (1)輸出幅度Um=6V,(2)上升時間,tr≤100nS
(3)最高工作頻率fmax=1MHz
步驟 計算公式 計算實例
選擇晶體管 若工作頻率高時,應選用高速硅開關管
若工作頻率低可選用低頻硅或鍺管
現(xiàn)選3DK,β=50
二極管選用2CK10
選擇電源電壓 圖3為設計電路,故應確定ED、EC、EB ∵采用箝位電路,故選ED≈Um
∴ED=6V,Ec=2ED=12v,Eb=-12
計算Rc Rc<Ec/ED tr/CL
CL為集電極對地的電容(包括加速電容、分布電容、后級輸入電容)
現(xiàn)設CL=180pF
Rc<12/6 100×10/180×10=1.1kΩ
計算Rk、RB 為保證可靠截止,應滿足:
Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RK<Ubeo
為保證可靠飽和,應滿足:
β{[(Uco-Ubes)/RK]-[(EB+Ubes)/RB]}>[(Ec-Uces)/Rc]+IL
式中:Uces為飽和電壓,對硅管Uces≈(0.3~0.4)V
Ubeo為截止管臨界電壓,Ubeo≈0.2V
Uco為截止管的集電極電壓,應取:Uco=ED+(箝位管正向壓降)IL為雙穩(wěn)電路灌入負截電流
現(xiàn)選Uces=0.4V,Ubeo=0.2V
0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk<0.2
∴RB<61RK (A)
現(xiàn)設IL=100mA,Ueo=6+0.4=6.4V
50[(6.4-0.7)/RK]-[(12+0.7)/RB]>[(12-0.4)/1]+10
∴RB>12.7RK/(5.7-0.43RK (B)
若選RK=6.8k由(A)算得RB<415K,由(B)式算得RB>31K,故選RB=39K
選擇CrRr RrCr≤1/2fmax,通常Cr為幾十pF
 
現(xiàn)選Cr=51pF
∴Rr≤1/6×1051×10=3.2k
故選Rr=2.4k
選擇加速電容CK 對合金管CK為幾百pF對高頻外延管CK為幾十pF 現(xiàn)選Ck=51pF
計算結果標在圖三中
Tags:雙穩(wěn)態(tài)電路,電路原理  
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