控制電壓Vc能向并聯(lián)調(diào)整器和門驅(qū)動級提供偏置電壓，而控制端電流Ic�珓t能調(diào)節(jié)占空比。在C-S極之間外接一只47 μF旁路電容，即可為門驅(qū)動級提供電流。控制端的總電容用CT表示，由它決定自動重啟動的定時(shí)，同時(shí)控制環(huán)路的補(bǔ)償。Vc有兩種工作模式，一種是滯后調(diào)節(jié)，用于啟動和過載兩種情況

(1)控制電壓源  
   　　控制電壓Vc能向并聯(lián)調(diào)整器和門驅(qū)動級提供偏置電壓，而控制端電流Ic�珓t能調(diào)節(jié)占空比。在C-S極之間外接一只47 μF旁路電容，即可為門驅(qū)動級提供電流。控制端的總電容用CT表示，由它決定自動重啟動的定時(shí)，同時(shí)控制環(huán)路的補(bǔ)償。Vc有兩種工作模式，一種是滯后調(diào)節(jié)，用于啟動和過載兩種情況，具有延遲控制作用；另一種是并聯(lián)調(diào)節(jié)，用于分離誤差信號與控制電路的高壓電流源。電路剛啟動時(shí)由D-C極之間的高壓電流源提供控制端電源Ic，以便給控制電路供電并對CT充電。  
   　　（2）帶隙基準(zhǔn)電壓源  
   　　帶隙基準(zhǔn)電壓源除向內(nèi)部提供各種基準(zhǔn)電壓之外，還產(chǎn)生一個(gè)具有溫度補(bǔ)償并可調(diào)整的電流源，以保證精確設(shè)定振蕩器頻率和門級驅(qū)動電流。  
   　　（3）振蕩器  
   　　內(nèi)部振蕩電容是在設(shè)定的上、下閾值VH、VL��之間周期性地線性充、放電，以產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需要的鋸齒波(SAW），與此同時(shí)還產(chǎn)生最大占空比信號（DMAx）和時(shí)鐘信號(CLOCK)。為減小電磁干擾，高電源效率，振蕩頻率（即開關(guān)頻率）設(shè)計(jì)為100 kHz。需要指出，對于TOP系列開關(guān)電源(Ⅱ)�熋}沖波形的占空比設(shè)定濰D，其最小值D�玬in＝0.7％，對應(yīng)于空載；最大值�獶�玬ax＝70％，對應(yīng)于滿載。  
   　　（4）誤差放大器  
   　　誤差放大器的增益由控制端的動態(tài)阻抗�玓c來設(shè)定。Zc��變化范圍是10~20 Ω，典型值為15 Ω。誤差放大器的同相輸入端接5.7 V基準(zhǔn)電壓，作為參考電壓。反相輸入端接反饋電壓�玍F��。輸出端接的P溝道MOSFRT管等效于一只可調(diào)電阻，其阻值用�玆′�獶S表示。控制電壓�玍c經(jīng)Zc、R′�獶S��、RE分壓后獲得�玍FOIC可直接取自反饋電路，亦可接外部誤差放大器的光電耦合反饋電路。誤差放大器將反饋電壓�玍F��與5.7 V基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后，輸出誤差電流�獻(xiàn)r，在RE上形成誤差電壓Vr��。

（5）脈寬調(diào)制器（PWM）  
  　　脈寬調(diào)制器是一個(gè)電壓反饋式控制電路，它具有兩層含義，第一，改變控制端電流�獻(xiàn)c的大小，即可調(diào)節(jié)占空比D，實(shí)現(xiàn)脈寬調(diào)制；第二，誤差電壓Vr，經(jīng)由RA、CA��組成的截止頻率為7 kHz的低通濾波器，濾掉開關(guān)噪聲電壓之后，加至PWM比較器的同相輸入端，再與鋸齒波電壓�玍J進(jìn)行比較，產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號VB。VB��通過與門Y1、或門H之后，可將觸發(fā)器I置零，使�玅��=0，把N溝道MOSFET管關(guān)斷；而時(shí)鐘信號則把觸發(fā)器I置位，使�玅��=１，又使MOSFET導(dǎo)通，二者交替動作，就實(shí)現(xiàn)了脈寬調(diào)制信號的功率輸出。  
  　　（6）門驅(qū)動級和輸出級  
  　　門驅(qū)動級(F)用于驅(qū)動功率開關(guān)管（MOSFET），使之按一定速率導(dǎo)通，從而將共模電磁干擾減至最小，漏-源導(dǎo)通電阻與產(chǎn)品的型號和芯片結(jié)溫有關(guān)，MOSFET管的漏-源擊穿電壓�玍��(BO)DS≥700 V。  
   　　（7）過流保護(hù)電路過流比較器的反相輸入端接閾值電壓�玍�獿IMIT，同相輸入端接MOSFET管的漏極。這里巧妙地利用MOSFET管的導(dǎo)通電阻�玆�獶S(ON)來代替外部過流檢測電阻�玆s。當(dāng)IO過大時(shí)，V��(BO)DS＞�玍�獿IMIT，過流比較器就翻轉(zhuǎn)，輸出變成高電平，經(jīng)過與門Y2和或門H，將觸發(fā)器I置零，進(jìn)而使MOSFET管關(guān)斷，起到過流保護(hù)作用。  
   　　此外，芯片還具有初始輸入電流限制功能，剛通電時(shí)可將整流后的直流限制在0.6 A（對應(yīng)于交流265 V輸入電壓）或0.75 A（對應(yīng)于交流85 V）。　（8）過熱保護(hù)電路  
   　　當(dāng)芯片結(jié)溫�玊�玧＞135℃時(shí)，過熱保護(hù)電路就輸出高電平，將觸發(fā)器Ⅱ置位，�玅＝1，Q＝0，關(guān)斷輸出級。此時(shí)Vc進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式，Vc��端波形也變成幅度為4.7～5.7 V的鋸齒波。若要重新啟動電路，需斷電后再接通電源開關(guān)，或者將控制端電壓�玍�玞降至3.3 V以下，達(dá)到�玍�獵(RESET)值，再利用上電復(fù)位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零，使MOSFET恢復(fù)正常工作。  

(9)關(guān)斷/自動重啟動電路  
   　　一旦調(diào)節(jié)失控，關(guān)斷/自動重啟動電路立即使芯片在5%占空比下工作，同時(shí)切斷從外部流入C端的電流，�玍c再次進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障已排除，Vc��又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式，自動重新啟動電源恢復(fù)正常工作，自動重啟動的頻率為1.2 Hz。  
  　　(10)高壓電流源  
  　　在啟動或滯后調(diào)節(jié)模式下，高壓電流源經(jīng)過電子開關(guān)�玈I給內(nèi)部電路提供偏置，并且對CT進(jìn)行充電。電源正常工作時(shí)SI��改接內(nèi)部電源，將高壓電流源關(guān)斷。